器件专门用来取代体积较大且昂贵的解决方案，可在+155 °C高温下连续工作
器件动态范围高达228 klux，分辨率为0.0034 lx/ct，支持深色透镜设计，适用于汽车和消费电子应用
器件适用于汽车和工业设备，外形尺寸为4527，最高工作电压达1500 V
器件采用10 mm x 6.4 mm x 10 mm封装，径向固定配置，减小占位面积，直流内阻低至0.130 m，工作温度达+155 C
40 V和100 V 器件通过AEC-Q101认证，与传统SOD/T封装二极管相比节省空间并提高了散热性能
稳压器采用5 mm x 7 mm封装，输出电流达40 A，提高了功率密度和瞬变响应能力
精密电阻采用1206和2512两种外形尺寸，TCR低至± 25 ppm/°C，精度为± 0.1 %
电感器采用 19 mm x 19 mm x 7 mm 封装，性能优于6767器件，成本低于8787电感器
器件通过AEC-Q200认证，工作电压达3 kV，采用2010和2512外形尺寸，可替代标准电阻串
器件符合AEC-Q200标准，高度仅为3 mm，节省汽车发动机舱使用环境下的空间
器件额定电流0.5 A至5.0 A，熔断特性极为稳定，适用于电动汽车和混合动力汽车
器件电容典型值仅为8 pF，可为商用和汽车应用提供端口保护
电感器采用19 mm x 19 mm x 7 mm封装，与6767器件相比DCR低，电流高，成本低于8787外形尺寸电感器
器件工作温度达+200 °C，具有更高的耐抗热冲击能力，使用寿命长达2,000小时，适于石油勘探、国防和航空航天应用
宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年5月25日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。
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